SiCコート被覆材 PERMA-KOTE®

半導体製品の急速な高集積化に伴い、炭素材料表面の脱ガス量、発塵量や不純物の低減など高純度な高純度な黒鉛製品が求められ、等方性黒鉛表面にCVD法にてSiC(炭化ケイ素)を被覆したPERMA KOTE®︎が半導体産業分野を中心に活躍しています。

SiCコート被覆材 PERMA-KOTE®写真

パンケーキ型サセプター

半導体ウエハーの表面に成膜するエピタキシャル成長の工程の、パンケーキ型、バレル型、枚葉型サセプターなどには炭化ケイ素被覆黒鉛がなくてはならない材料となっております。

パレル型サセプター

PERMA KOTE®︎は半導体レベルの純度の高い、耐熱性や耐食性に優れた炭化ケイ素で皮覆された黒鉛製品でエピタキシャル成長用サセプターとしてユーザーニーズに応えています。

特長

概要

  • 耐酸化性、耐食性、耐薬品性に優れた炭化ケイ素膜です。
  • 高温で安定、非常に硬い炭化ケイ素膜です。
  • 黒鉛粉の離脱や飛散、黒鉛基材からのガスや不純物の放出を防止できます。
  • 黒鉛基材、炭化ケイ素膜ともに高純度です。
  • 黒鉛基材、炭化ケイ素ともに熱伝導が高く、均熱性に優れています。
  • クラックや剥離を起こさない材料設計です。

使用用途例

  • シリコンエピタキシャル成長用サセプター
  • シリコン単結晶引き上げ装置部品
  • MOCVD用サセプター
  • ヒーター
  • 均熱板
  • 耐酸化性部材

皮膜の性質

結晶構造 β-SiC(立法晶系)の構造
かさ密度 3.2 Mg/m3
分解温度 2700 ℃以上
硬さ 2800HK
電気抵抗率 0.2Ω・m(電圧降下法による)
曲げ強さ 170 MPa(3点曲げによる)
ヤング率 320 GPa(たわみ法による)

※上記数値は文献値または測定値であり、保証はありません。

皮膜の厚さ

PERMA KOTE®の表面SEM写真

標準は120μmですが、20~500μmの範囲で調整が可能です。

PERMA KOTE®の表面SEM写真

耐食性

下記表は横スクロールしてご覧になれます。

品名 化学式 濃度(%) 温度(℃) 時間(h) 質量変化(g/㎡)
フッ化水素酸 HF 47 80 144 -1.0
塩酸 HCl 36 沸点 144 0
硫酸 H2SO4 97 110 144 0
硝酸 HNO3 61 沸点 144 0
フッ化水素酸+硝酸 HF+HNO3 (1:1) 100 80 288 -1.0
硝酸+硫酸 HNO3+H2SO4 (1:1) 100 25 288 -1.0
水酸化ナトリウム NaOH 20 80 288 0
リン酸 H3PO4 100 100 192 -1.0
王水 HCl+HNO3 (3:1) 100 80 192 0

各物質との反応性(真空下)

反応物質 化学式 1200℃×3h 1600℃×3h
アルミニウム Al
ホウ素 B
コバルト Co ×
クロム Cr ×
Cu
Fe × ×
モリブデン Mo
ニッケル Ni ×
Pb ×
ケイ素 Si
スズ Sn
タンタル Ta
チタン Ti
バナジウム V ×
タングステン W
酸化アルミニウム Al2O3 ×
酸化ホウ素 B2O3
酸化クロム(Ⅲ) Cr2O3 ×
酸化鉄(Ⅲ) Fe2O3 × ×
酸化マグネシウム MgO
酸化マンガン(Ⅳ) MnO2 ×
酸化鉛(Ⅱ) PbO
二酸化ケイ素 SiO2
酸化チタン(Ⅳ) TiO2
酸化バナジウム(Ⅴ) V2O5
酸化ジルコニウム(Ⅳ) ZrO2

※ ◎...反応なし ○...わずかに反応した
  △...反応した ×...著しく反応

被膜の不純物分析例 単位: mass ppm

元素 含有量
B 0.15
Na 0.02
Al 0.01
Cr < 0.1
Fe 0.02
Ni < 0.01

※測定法:グロー放電質量分析
※上記は測定例であり、保証値ではありません。
具体的な使用法にあたってはカタログをご参照頂き、弊社営業部門に必ず相談のうえ、適材を決めて御使用下さい。